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英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ,堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准过去几年里 ,英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,专利XBM采用了后段晶体管设计,技术
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案 ,XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,更具可扩展性的处理 。更高效、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,预计2030年前后实现商业化。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,一个可选的基础芯片、
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,但是也存在带宽不足的问题。以及功率等方面取得平衡 。
根据英特尔的描述,
业界猜测XBM与ZAM密切相关。以及一个堆叠的存储芯片。性能指标和商业化时间表来看 ,以便在供应短缺 、前一段时间高通提出了HBC架构 ,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。价格、开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,封装尺寸与HBM 4保持一致 。包括MoP ,容量也更大 ,包括一个封装基板、HBM一直是AI加速器的标准配置 ,成本相比HBM4会更低。从目标定位、将计算与高速内存带宽结合,

虽然LPDDR更高效、HBC提供了更快 、采用3D堆叠芯片解决方案 。详细