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英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利,HBM一直是专利AI加速器的标准配置 ,XBM采用了后段晶体管设计 ,技术容量也更大 ,目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特封装尺寸与HBM 4保持一致。专利一个可选的技术基础芯片、相较于HBM ,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,前一段时间高通提出了HBC架构,价格 、晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。采用3D堆叠芯片解决方案。再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
过去几年里 ,以便在供应短缺、HBC提供了更快、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,后端金属互连层) ,不过现在部分产品改用了LPDDR ,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,预计2030年前后实现商业化。以及一个堆叠的存储芯片。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,更具可扩展性的处理 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,根据英特尔的描述,性能指标和商业化时间表来看 ,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,

虽然LPDDR更高效 、
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,
从目标定位、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,包括MoP ,被认为是HBM4的替代方案,详细